Проблеми іонної імплантації в кристалічні мішені :: НВК ВДЕРТ

Проблеми іонної імплантації в кристалічні мішені


Розроблено серію феноменологічних моделей теоретичного опису імплантації іонів у кристали, які коректно враховують кінетику каналювання іонів та вплив радіаційних пошкоджень мішені імплантованим пучком на профілі впровадження.

	Моделі добре описують профілі впровадження за різних умов імплантації та верифіковані на великому масиві експериментальних даних і даних математичного моделювання (рис. 1-3);

	Рис. 1 - Енергетичні залежності профілів впровадження

	Рис. 2 - Дозові залежності профілів впровадження

	Рис. 3 - Орієнтаційні залежності профілів впровадження

	Застосовні для оптимізації промислових імплантаційних технологій у мікро- та наноелектроніці, а також у імітаційних дослідженнях ФРПіРМ на прискорювачах важких іонів;

	Відкривають унікальні можливості експериментального вимірювання фундаментальних параметрів, що характеризують кінетику орієнтаційних ефектів (наприклад, довжин деканалювання іонів низьких і середніх енергій) (рис. 4).

	Рис. 4 - Орієнтаційна залежність довжини деканалювання