Термодинамика графанов: структурно-фазовые переходы и критические явления

Теоретически и методами многоуровневого (multiscale) моделирования исследованы процессы синтеза, структура и термодинамика графанов CH
θ (0 < θ ≤ 1) — различных по стехиометрии, энергетике и симметрии дальнего порядка основного состояния полиморфных модификаций инновационного функционального материала на основе графена, которые получают осаждением потоков атомов водорода на графен в условиях конкуренции однослойной хемосорбции и десорбции.

Введена систематика упорядоченных фаз графана по выражающимся простыми дробями степеням покрытия θ = 1/4, 1/3, 1/2, 2/3 и 3/4 графена водородом, Показано, что существование по меньшей мере одной из этих фаз (параграфана С
4Н, θ = 1/4) подтверждено экспериментом.

Рисунок 1 – Фазовые диаграммы графанов

Впервые построены фазовые диаграммы графанов в переменных «температура – хим. потенциал» и «температура – степень покрытия θ» (см. Рис. 1). На них обнаружен фазовый переход II рода типа «порядок–беспорядок» с критической температурой
Tc, зависящей от степени покрытия θ и от симметрии упорядоченной низкотемпературной фазы.

Для термодинамической интерпретации фазовых диаграмм графана предложен эффективный феноменологический гамильтониан решеточной модели типа Изинга и построена соответствующая среднеполевая теория.
Таблица 1 – Рассчитанные критические температуры фазового перехода «порядок–беспорядок» для различных упорядоченных структур графана
|
{n1n2n3} |
θGS |
Тип упорядочения |
 |
λGS |
 |
Tc |
 |
{003} |
1/4 |
Параграфан C4H: сотовое (honeycomb) |
3 |
0.506 |
7.03 |
3.56 |
 |
{101} |
1/3 |
Ортопараграфан C3H: треугольное (triangle) |
6 |
0.607 |
7.78 |
4.72 |
 |
{123} |
1/2 |
Ортографан C2H: квадратное (square) |
4 |
0.567 |
6.25 |
3.54 |
 |
{232} |
2/3 |
Антиортопараграфан C3H2: треугольное (triangle) |
6 |
0.607 |
7.78 |
4.72 |
 |
{243} |
3/4 |
Антипараграфан C4H3: сотовое (honeycomb) |
3 |
0.506 |
7.03 |
3.56 |

Получены количественно описывающие данные моделирования методом кинетического Монте-Карло аналитические формулы для критической температуры
Tc фазового перехода, выражение для свободной энергии Гиббса и уравнение состояния графанов. Это позволяет численно и аналитически рассчитывать их восприимчивости (теплоёмкость, сжимаемость и т. п.), важные для прогнозирования их свойств в приложениях в качестве функционального материала современной наноэлектроники.