Теоретически и методами многоуровневого (multiscale) моделирования исследованы процессы синтеза, структура и термодинамика графанов CHθ (0 < θ ≤ 1) — различных по стехиометрии, энергетике и симметрии дальнего порядка основного состояния полиморфных модификаций инновационного функционального материала на основе графена, которые получают осаждением потоков атомов водорода на графен в условиях конкуренции однослойной хемосорбции и десорбции.
Введена систематика упорядоченных фаз графана по выражающимся простыми дробями степеням покрытия θ = 1/4, 1/3, 1/2, 2/3 и 3/4 графена водородом, Показано, что существование по меньшей мере одной из этих фаз (параграфана С4Н, θ = 1/4) подтверждено экспериментом.
Рисунок 1 – Фазовые диаграммы графанов
Впервые построены фазовые диаграммы графанов в переменных «температура – хим. потенциал» и «температура – степень покрытия θ» (см. Рис. 1). На них обнаружен фазовый переход II рода типа «порядок–беспорядок» с критической температурой Tc, зависящей от степени покрытия θ и от симметрии упорядоченной низкотемпературной фазы.
Для термодинамической интерпретации фазовых диаграмм графана предложен эффективный феноменологический гамильтониан решеточной модели типа Изинга и построена соответствующая среднеполевая теория.
{n1n2n3} | θGS | Тип упорядочения | λGS | Tc | |||
{003} | 1/4 | Параграфан C4H: сотовое (honeycomb) | 3 | 0.506 | 7.03 | 3.56 | |
{101} | 1/3 | Ортопараграфан C3H: треугольное (triangle) | 6 | 0.607 | 7.78 | 4.72 | |
{123} | 1/2 | Ортографан C2H: квадратное (square) | 4 | 0.567 | 6.25 | 3.54 | |
{232} | 2/3 | Антиортопараграфан C3H2: треугольное (triangle) | 6 | 0.607 | 7.78 | 4.72 | |
{243} | 3/4 | Антипараграфан C4H3: сотовое (honeycomb) | 3 | 0.506 | 7.03 | 3.56 |
Получены количественно описывающие данные моделирования методом кинетического Монте-Карло аналитические формулы для критической температуры Tc фазового перехода, выражение для свободной энергии Гиббса и уравнение состояния графанов. Это позволяет численно и аналитически рассчитывать их восприимчивости (теплоёмкость, сжимаемость и т. п.), важные для прогнозирования их свойств в приложениях в качестве функционального материала современной наноэлектроники.