Детально вивчені механізми утворення довгопробіжних «хвостів» профілів внедрення іонів, що імплантуються в кристалічні мішені. Виявлена роль специфічних надбар'єрних станів (метаканалізування) у формуванні довгопробіжної фракції пучка, що імплантується в кристал поза умовами стійкого каналізування. Отримані аналітичні вирази для нових критичних кутів, що лімітують області прояву орієнтаційних ефектів в іонній імплантації. Теоретичні передбачення розвиненої моделі кількісно узгоджуються з даними проведених комп'ютерних експериментів (Рис. 1).
Рис.1 – Радіальна проекція розподілу ймовірностей аномального проникнення іонів бору та миш'яку в кристалічний кремній залежно від умов падіння пучка на грань (001)
Введені критичні кути обмежують області прояву орієнтаційних ефектів у розподілах пробігів іонів і можуть використовуватися для визначення оптимальних умов імплантації.